试验程序 该试验的试验程序为
时间:2013-09-21 21:26 来源:正航仪器 作者:网络工作组
试验程序 该试验的试验程序为:
①按试验任务书的要求,选择能满足试验振动条件的振动台。.
②安装固定试验样品,相应的电路系统及电信号测量系统也应固定好。
③安装好监控传感器系统。
④根据试验要求,使振动台产生给定规定的振动,试验中要一直测量并记录电信号 测量系统的有关电信号。试验中一直要监控振动台的振动水平,使其始终满足该试验的 振动要求。
⑤将测量并记录的试验样品的电信号进行分析,得出试验样品的电信号是否混杂有
噪声信号。
冲击试验
冲击试验也称为机械冲击试验。它是用来确定电子元器件受到机械冲击时的适应性 或评定其结构的牢靠性。
在冲击试验中冲击力的大小以冲击加速度表示,它也以重力加速度S为单位(1容= 9.8m/s2)。冲击加速度的大小反映了冲击力的大小。冲击时间越短,冲击加速度越大。 在相同波形和持续时间的情况下,加速度越大,对产品的影响越大。而波形不同,对应着 不同的频谱,不同频谱将给产品造成不同的影响。持续时间描述了作用时间的长短,在同 一条件下,持续时间越长,给产品带来的影响越大。
为了检验电子元器件承受冲击加速度的能力,有必要在实验室进行该项模拟试验。 冲击试验设备应能按规定对电子元器件施加所要求的冲击脉冲(包括谱包络、冲击波形、 冲量、冲击作用时间和冲击峰值等),并用截止频率为冲击基频五倍以上的传感器来测量 脉冲。半导体器件的冲击试验是将非工作状态的被试样品紧固在冲击台的专用夹具上进 行的。其冲击频率为20?100次/分,冲击加速度为(100士 10)旦,在两个或3个方向上各 进行1000次。
对微电路试验时微电路的壳体应刚性固定在试验台基上,外引线要施加保护。对微 电路的芯片脱出方向、压紧方向和与该方向垂直的方向各施加五次半正弦波的机械冲击 脉冲。冲击脉冲的峰值加速度取值范围一般取为4900?294000m/s2(500?30000g),脉 冲持续时间为0.1?1. 0ms,允许失真不大于峰值加速度的20%。
试验目的
机械冲击试验的目的是确定电子元器件受到机械冲击时的适应性或评定其结构的牢 靠性。
试验原理
冲击是外界条件的突然改变引起结构状态的突然改变,也就是说,短时间内极大的冲 击力(极大的冲量)作用在试验样品上,而冲量的变化等于动量的变化。所以,试验样品在 短时间内动量发生极大的变化,从而引起试验样品产生极大的瞬态振动,产生极大的位 移,在试验样品内产生极大的应力和应变,抗冲击能力弱的试验样品就会因冲击而损坏或 性能降低。
①按试验任务书的要求,选择能满足试验振动条件的振动台。.
②安装固定试验样品,相应的电路系统及电信号测量系统也应固定好。
③安装好监控传感器系统。
④根据试验要求,使振动台产生给定规定的振动,试验中要一直测量并记录电信号 测量系统的有关电信号。试验中一直要监控振动台的振动水平,使其始终满足该试验的 振动要求。
⑤将测量并记录的试验样品的电信号进行分析,得出试验样品的电信号是否混杂有
噪声信号。
冲击试验
冲击试验也称为机械冲击试验。它是用来确定电子元器件受到机械冲击时的适应性 或评定其结构的牢靠性。
在冲击试验中冲击力的大小以冲击加速度表示,它也以重力加速度S为单位(1容= 9.8m/s2)。冲击加速度的大小反映了冲击力的大小。冲击时间越短,冲击加速度越大。 在相同波形和持续时间的情况下,加速度越大,对产品的影响越大。而波形不同,对应着 不同的频谱,不同频谱将给产品造成不同的影响。持续时间描述了作用时间的长短,在同 一条件下,持续时间越长,给产品带来的影响越大。
为了检验电子元器件承受冲击加速度的能力,有必要在实验室进行该项模拟试验。 冲击试验设备应能按规定对电子元器件施加所要求的冲击脉冲(包括谱包络、冲击波形、 冲量、冲击作用时间和冲击峰值等),并用截止频率为冲击基频五倍以上的传感器来测量 脉冲。半导体器件的冲击试验是将非工作状态的被试样品紧固在冲击台的专用夹具上进 行的。其冲击频率为20?100次/分,冲击加速度为(100士 10)旦,在两个或3个方向上各 进行1000次。
对微电路试验时微电路的壳体应刚性固定在试验台基上,外引线要施加保护。对微 电路的芯片脱出方向、压紧方向和与该方向垂直的方向各施加五次半正弦波的机械冲击 脉冲。冲击脉冲的峰值加速度取值范围一般取为4900?294000m/s2(500?30000g),脉 冲持续时间为0.1?1. 0ms,允许失真不大于峰值加速度的20%。
试验目的
机械冲击试验的目的是确定电子元器件受到机械冲击时的适应性或评定其结构的牢 靠性。
试验原理
冲击是外界条件的突然改变引起结构状态的突然改变,也就是说,短时间内极大的冲 击力(极大的冲量)作用在试验样品上,而冲量的变化等于动量的变化。所以,试验样品在 短时间内动量发生极大的变化,从而引起试验样品产生极大的瞬态振动,产生极大的位 移,在试验样品内产生极大的应力和应变,抗冲击能力弱的试验样品就会因冲击而损坏或 性能降低。
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